中古 AMMT MPSB 200 #293830097 を販売中

ID: 293830097
ウェーハサイズ: 8"
Porous silicon etcher, 8" Tank volume: ~3.8 Litre Separation plate: ∅ 189 mm Edge exclusion area: 9 mm HF Exposed area: 182mm (2) Electrodes Diameter: 190 mm Platinum meshed electrode Platinum (Pt) plate Silicon sacrificial electrode Optical window size: ∅ 189 mm Sapphire window backed: 1 mm Quartz disk Air pressure: 6 bar HF-Ethanol mixture Temperature range: 10°C – 30°C Fluidic drain: PTFE hose (ID: 6mm OD: 8 mm) Wafer holders: 2", 3", 4", 5", 6" ,8" Processing side (Left / Anode): Si: 46 mm PT: 55 mm Electrolytical contact side (Right / Cathode): Si: 46 mm PT: 55 mm.
AMMT MPSB 200は、基板エッチング、フォトレジスト除去、表面改質、洗浄など、半導体業界で広く使用されている高性能エッチャー/アッシャー装置です。この先進的な装置は、優れた加工能力、正確な制御、および信頼性で知られており、半導体製造装置および研究所にとって不可欠なツールとなっています。MPSB 200は、多様なプロセス機能を可能にする汎用性の高い設計を備えており、さまざまなアプリケーションに適しています。このシステムには、複数のガスインレット、強力なRFジェネレータ、および圧力、温度、電力、ガス流量などのプロセスパラメータを正確にチューニングできる高度な制御ユニットが装備されています。この柔軟性により、ユーザーは特定のプロセス要件を満たし、望ましい結果を達成するためにマシンを調整することができます。AMMT MPSB 200の主な特徴の1つは、基板表面から材料を正確かつ制御して除去できるプラズマエッチング機能です。プラズマエッチングは、半導体製造において基板上に精密なパターンや構造を作成するために広く使用されているドライエッチング工程です。このツールは、酸素、塩素、フッ素などのガスを組み合わせて生成されるプラズマ源を使用して、基板表面から材料を選択的に除去します。エッチングプロセスは、通常、エッチングパターンの均一性と再現性を確保するために、制御された条件下で行われます。プラズマエッチングに加えて、MPSB 200はフォトレジスト除去や表面洗浄に使用されるアッシング機能も備えています。Ashingは、酸素ベースのプラズマを使用して基板表面から有機残留物を分解して除去するドライクリーニングプロセスです。半導体製造において、エッチング前後の基板表面を洗浄し、最終製品の純度と品質を確保するために不可欠なプロセスです。AMMT MPSB 200は、資産の安全な運用を確保するための高度な安全機能と制御を備えています。このモデルは、過熱、過圧、およびガス漏れを防ぎ、事故のリスクを最小限に抑え、オペレータの安全を確保するために、内蔵のセーフガードで設計されています。さらに、操作者がリアルタイムでプロセスパラメータを監視および制御できるユーザーフレンドリーなインターフェースを備えているため、プロセス条件を最適化して所望の結果を得ることが容易になります。全体として、MPSB 200は高性能エッチャー/アッシャーシステムであり、さまざまな半導体製造プロセスにおいて高度な機能、正確な制御、および信頼性を提供します。AMMT MPSB 200は、汎用性の高い設計、プラズマエッチング、アッシング機能、高度な安全機能を備えており、プロセスの高品質で正確な結果を達成しようとする半導体メーカーや研究室にとって貴重なツールです。
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