中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Mesa II #293823495 を販売中
URL がコピーされました!
タップしてズーム
ID: 293823495
Polysilicon etcher
Mainframe
(8) Chambers
(6) MESA2 Process chambers
(2) Strip auxiliary chambers
Application: Titanium nitride deposition.
AMAT/APPLIED MATERIALSエッチャー/アッシャーとしても知られるMesa IIは、高性能電子デバイスの製造において重要な機能を果たすように設計された最先端の半導体加工ツールです。半導体ウェーハ上の薄膜の精密かつ制御されたエッチングのために半導体業界で広く使用されているプラズマエッチャーのファミリーに属しています。AMAT Mesa II装置の中心には、反応性ガスとRFエネルギーを組み合わせてウェーハ表面から選択的にエッチングまたは灰の材料を利用する高密度プラズマチャンバーがあります。このプロセスの主な目的は、電子回路やデバイスの基礎となる複雑なパターンや構造をウェーハ上に定義することです。アプライドマテリアルズMesa IIシステムは、その高性能と信頼性に貢献する高度な技術と革新的な設計要素を備えています。1つの重要な特徴は、プラズマ特性を正確に制御し、プロセスの柔軟性を高めるデュアル周波数RFソースを使用することです。これにより、優れたエッチング速度、均一性、選択性を実現し、デバイスの性能と歩留まりを向上させます。Mesa IIマシンのもう1つの重要な側面は、洗練されたガス供給ツールであり、プロセスで使用される反応ガスの流量と混合比を正確に制御できます。これにより、プラズマ化学を特定のプロセス要件に合わせて調整できるため、エッチプロファイルを最適化し、サイドウォールの損傷を最小限に抑えることができます。プロセス制御と再現性をさらに高めるために、AMAT/APPLIED MATERIALS MESA IIモデルには高度なエンドポイント検出機能が搭載されています。これにより、機器はエッチングプロセスの進捗状況をリアルタイムで正確に監視し、所望のエッチング深さまたはエンドポイントに到達すると確実にプロセスを終了できます。AMAT MESA IIシステムは、エッチング機能に加えて、ウェーハ表面からフォトレジストなどの有機材料を除去するアッシャー機能も備えています。これは半導体製造プロセスにおいて重要なステップであり、堆積やイオン注入などの後工程にウェハを準備するためです。APPLIED MATERIALS Mesa IIユニットは使いやすさとメンテナンスを念頭に設計されており、ユーザーフレンドリーなインターフェイスと堅牢な構造を備えています。また、高度なプロセス監視と診断機能を備えているため、オペレータは処理中に発生する可能性のある問題をすばやく特定してトラブルシューティングすることができます。全体として、Mesa IIエッチャー/アッシャーは、精度と信頼性を備えた高性能エッチングおよびアッシングプロセスの実現を目指す半導体メーカーにとって最先端のソリューションです。その先進的な機能、革新的な設計、優れたプロセス制御機能は、最先端の電子デバイスの生産を可能にし、競争力のある半導体市場で高いデバイス収率を確保するための不可欠なツールです。
まだレビューはありません