中古 AMAT / APPLIED MATERIALS DPS II #293815928 を販売中

AMAT/APPLIED MATERIALS DPS IIは、半導体産業で使用されるリソグラフィープロセス用のエッチャー/アッシャーです。それは不必要な材料をエッチングするのに多室、高密度プラズマ装置を使用します。このシステムは、化学物質、ガス、およびRFエネルギーの組み合わせを使用してプラズマエッチングを作成します。得られたプラズマの温度と滞留時間を正確に制御し、正確さと生産性を確保します。AMAT DPS IIは、ICP （Inductively Coupled Plasma）やReactive Ion Etching （RIE）などのエッチング技術を利用して、望ましい材料をエッチングします。これらの高度なエッチング技術は、エッチング率が高く、過剰エッチング率が低く、基板表面に均一なエッチングが可能です。ICPは、より薄い基板に高速エッチングを提供します。一方、RIEはより厚い基板を高アスペクト比でエッチングします。このユニットには、エッチングエンドポイントの測定に使用されるオンラインエンドポイント検出（EPD）マシンが装備されています。これにより、エッチングは目的のエンドポイントに到達するまでのみ継続され、それ以上のエッチングは行われません。また、不要な過剰エッチングや誤ったストリップ残留も防止します。エンドポイント検出ツールにより、プロセスの一貫性と歩留まりが向上します。アセットには、エッチング後に基板をアニールするために使用されるアニーリング機能も含まれています。これにより、基板上のデバイスの正確なアライメントにより、デバイス形成が改善されます。このモデルは、異なる時間と深さでシーケンシャルエッチングを行うことができる高度な多層エッチング装置（MLE）を備えています。この技術は高いスループットで高いエッチング速度を保証します。さらに、MLEは1つのエッチングチャンバーで複数のエッチングプロセスを実行できるため、エッチング全体の時間が短縮され、エッチングプロセスの効率が向上します。このシステムは大容量のロードロックチャンバーを備えており、2インチと4インチの大きなウェーハに対応できます。また、エッチング前にプラズマプロファイルを調整し、ウェーハ全体に均一なエッチングを実現する均一性コントロールを備えています。これにより、エッチングプロセスの最初から最後まで均一な結果が保証されます。このユニットは、特定のエッチングプロセスごとにプラズマのガス組成を手動で調整する機能をユーザーに提供し、特定のニーズに合わせてエッチングプロセスを最適化する機能を提供します。この機能により、エッチングプロセスを最大限に活用できます。APPLIED MATERIALS DPS IIは、高性能エッチング機能のプラットフォームを誇る高度なエッチャー/アッシャーです。多層エッチングマシン、エンドポイント検出ツール、均一制御など、さまざまなエッチング技術と機能により、プロセス結果の精度、生産性、一貫性を向上させることができます。調整可能なガス組成と大きなウェハ容量により、ユーザーはニーズに合わせてプロセスを微調整できます。このエッチング資産は完璧な性能を発揮するように設計されており、リソグラフィープロセスで高品質の結果を達成するためにオーダーメイドされています。