中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP DPN Gate stack #9289806 を販売中
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販売された
ID: 9289806
ウェーハサイズ: 12"
ヴィンテージ: 2010
Decoupled Plasma Nitride, 12"
(2) Load ports
Chambers A/B: DPN+
Chambers C/D: RTP Radiance
Power supply: 110 AC, 3 Phase
2010 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP DPNゲートスタックは、半導体デバイス製造に使用されるさまざまな基板を処理するためのエッチャー/アッシャーです。エッチャーは、フッ素および塩素ベースの化学を使用して、ドーパント選択的プラズマエッチングを介して非常に均一なエッチング深度とプロセスを提供するように設計されています。エッチングプロセスの優れた制御と高い材料除去率を提供することができます。このエッチャーは、低圧、低エネルギーの容量結合プラズマ(CCP)エッチングシステムを備えており、異なる材料タイプに対する優れたエッチングの均一性と選択性を確保します。このエッチャーにより、圧力、ガス分配、プラズマ電力などのエッチングチャンバー条件を優れた制御が可能になります。高度な制御パラメータにより、均一な深さとサイドウォールの滑らかさのクリーンなエッチング面で一貫したエッチング性能を提供します。AMAT Centura ACP DPNゲートスタックは、特許取得済みのDual Particle Neutralizer (DPN)技術を使用して、基板材料を損傷することなく非常に高い周波数で高いバイアス電圧を提供します。DPN技術はまた、従来のアッシングプロセスの必要性を排除することにより、ヒ素汚染レベルを最小限に抑えます。DPNプロセスは、ポリシリコン、アルミニウム、二酸化ケイ素、ヒ素ガリウムなどのさまざまな基板での使用にも適しています。また、エッチング後のクリーニング時間を短縮しながらエッチング品質を維持するクリーンエッチング環境を提供する高機能真空技術を搭載しています。エッチャーはまたゲートスタックへの損傷を防ぐ圧力プロファイルの正確な制御を可能にします。また、エッチャーはダイナミックガスコントロールと超高速スイッチ時間を提供し、幅広いプロセスウィンドウを実現します。さらに、特殊なリモートトーチは、エッチングが困難な場所でも正確な均一性コントロールを提供します。最後に、APPLIED MATERIALTS Centura ACP DPNゲートスタックは、エッチングチャンバー用の反射防止および散光保護シールドなどの安全機能も提供します。精密な制御パラメータと高度な安全機能により、基板の損傷を最小限に抑えながら高精度のエッチングを実現します。
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