中古 TEL / TOKYO ELECTRON Alpha 8SE-Z #9395874 を販売中
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ID: 9395874
ウェーハサイズ: 8"
ヴィンテージ: 2001
CVD Furnace, 8"
Process: Co-SiN Low pressure CVD
Wafer shape: Notch
Wafer cassette: Plastic miraial, 8"
SMIF Interface
Cassette I/O Port / SMIF
Cassette transfer
(12) Cassette stockers
(9) Cassette stockers: I/O Side
Boat elevator: Cap rotation
Wafer transfer: 1 + 4 Pitch conversion
Pass box transfer stage
Auto shutter: Full close
Furnace body:
Heater chamber: VMM-40-101, 500 - 1000℃
Furnace stand: N2 L/L
Water cooling piping
Scavenger
Cable duct
Gas system:
Gas unit: SiN
Vacuum piping
Temperature controller unit
Analyzer unit: N2 L / L O2 Thermometer
N2 Purge box: Half size F/Box
MFC:
FC-786Y-B-TC: N2 20SLM
FC-786Y-B-TC: N2 5SLM
FC-786Y-B-TC: N2 1SLM
FC-985Y-B1: NH3 2SLM
FC-985Y-B1: SiH2Cl2, 200SCCM
SEC-7340RC-204-4CR: N2 10SLM
PCV-1000-3C
FC-772C-6V: N2 200SLM
MFM: FM-865-B1-TC: SiH2Cl2 200SCCM
FM:
FM1/2: P-821-4A-6F-V2-M-N2-30L-2M
FM3: P-821-30-6F-V2-M-N2-10L-K1.0
P-510-LO-6N-S3-N2-200L
P-510-LO-6N-S3-N2-100L
P-823-40-6F-S2-S-N2-60L-SP
Control system:
WAVES
M560 Temperature controller
Gas flow chart panel with remote
Man machine interface with remote
Signal tower
2001 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Alpha 8SE-Zは、様々な半導体製造プロセスのための拡散炉およびアクセサリーです。この拡散炉は、正確な温度制御と均一性を提供するように設計された、完全に自動化された高温ガス焼却炉です。高度な熱構造は、均一で正確な結果を達成するために、全体の加熱ゾーン上の均一な温度分布を提供します。TEL ALPHA 8SEZの温度範囲は300°C〜1350°Cで、最大温度差は± 4°Cです。この炉は、半導体基板の垂直スライス全体に沿って均一に加熱するように設計されています。この炉には、革新的な熱設計、高性能ガス供給装置、高度な制御システム、オーダーメイドの周辺機器など、いくつかの機能が装備されています。これらの特徴は、炉の高いプロセススループットと再現性に貢献します。ガス供給ユニットは、ガス組成の急激な変化による加熱素子の熱衝撃の低減と最適化されたガス混合を提供するように設計されています。東京電子ALPHA-8SE-Zはアニールから拡散まで、様々な熱処理に最適です。高度な制御装置により、加熱段階と冷却段階の同期による正確な温度制御が可能です。制御ツールは、自動プロセスチューニングやレシピの最適化など、ユーザー固有のニーズに合わせてカスタマイズすることもできます。オーダーメイドの周辺機器により、炉を既存の生産ラインに迅速かつ容易に統合できます。優れた熱性能に加えて、Alpha 8SE-Zは、いくつかの組み込みの安全システムと防爆構造で安全基準を満たすように設計されています。また、外部の磁気干渉からマイクロチップを保護するために、ファラデーケージ、抵抗測定ユニット（RMU）、磁気コアセンサー（MSC）も装備しています。全体として、TEL/TOKYO ELECTRON ALPHA 8 SE Zは、さまざまな半導体プロセスに精密な温度制御と均一性を提供するように設計された業界をリードする拡散炉です。高性能、安全規格、インテグラルアクセサリーを備えたALPHA-8SE-Zは、信頼性の高い拡散炉を求めるあらゆる半導体製造施設に最適です。
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