中古 KOKUSAI Quixace II #9355289 を販売中

KOKUSAI Quixace II
製造業者
KOKUSAI
モデル
Quixace II
ID: 9355289
ウェーハサイズ: 12"
ヴィンテージ: 2007
Vertical LPCVD furnace, 12" Boron doped poly 2007 vintage.
KOKUSAI Quixace IIは、最先端の結晶酸化物薄膜蒸着装置です。様々な基板に結晶酸化物薄膜を容易に付着・エッチングできるように設計された各種アクセサリーを備えた拡散炉です。精密な電子位置決め装置、拡散源、フォトリソグラフィーツール、スパッタリングツールを搭載しています。電子ポジショニングマシンを使用すると、基板ホルダーと誘導結合プラズマ(ICP)源をトータルチャンバー寸法の小さな窓の中に正確に配置することができます。これにより、フィルム成長率の正確な制御、ドーピング、および表面の清浄性が可能になり、汚染リスクも最小限に抑えられます。この拡散源は、均一な温度プロファイルと高純度の酸素を提供し、信頼性の高い均一な成膜を可能にします。フォトリソグラフィーツールは、基板上のフィルムの精密なパターニングを可能にし、スパッタリングツールは、非常に詳細な構造を作成するために、より深いエッチングを可能にします。KOKUSAI QUIXACE-IIユーザーインターフェースはシンプルで直感的で、迅速なセットアップと成膜プロセスを可能にします。ユーザーフレンドリーなグラフィックディスプレイにより、プロセスパラメータや変更を簡単に選択できます。このソフトウェアは、窒素ドーピング、層の厚さ制御などの層ごとに異なる堆積物を選択することができます。これらは、所望の正確なパターンと沈着の優れた制御を可能にします。さらに、Quixace IIには、さまざまな高度な自動安全機能が搭載されています。これは、任意の危険の最初の兆候でユーザーに警告するための警告ツールが装備されています。さらに、堆積が進行しているときにICPソース電源を手動で制御できるように設計されています。これにより、誤動作によるICPソースの誤作動に伴うリスクが軽減されます。その特徴から、QUIXACE-IIは薄膜成膜の研究開発において非常に貴重なツールです。高度な機能と安全システムにより、蒸着プロセスを正確に制御し、最先端の結晶酸化物薄膜の開発を完成させます。
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