中古 KOKUSAI Quixace II ALD High-k #9196072 を販売中
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販売された
ID: 9196072
ウェーハサイズ: 12"
ヴィンテージ: 2010
Vertical LPCVD furnace, 12"
Process: CG DEP PROCESS (TaN)
Power rating: 480 AC, 3 Phase
(5) Loaders
System configuration:
Furnace unit:
Cartridge heater
(5) T/C for heater control
(5) T/C for over temperature protection
5-P T/C for cascade control
Thyristor unit for control
(4) Clean module units
Controller:
Main controller (OU)
Main operation unit
Sub operation unit
Process module controller
DDC Temperature controller
Gate drive unit
MFC/ Pressure unit
FOUP Loader controller unit
Wafer handling controller unit
Valve / Interlock control unit
Switching hub
Signal tower (Front)
(2) Gas flow pattern panels
EDA Controller
EDA Operation unit
Drive mechanisms:
I/O Shutter
AGV / PGV / OHT Stage
FOUP Loader
Rotation FOUP storage
FOUP Opener
(2) Wafer detections
Wafer transfer
Variable wafer pitch converter
Boat elevator
Boat changer
Furnace port shutter
Boat rotation
Wafer transfer crash detector
Gas system:
Gas unit (IGS)
Bottle heater
Stainless steel Ampoule with ultrasonic level sensor
4-PT Level sensor controller
Exhaust system:
Dry pump / Mechanical booster pump
Diaphragm sensor:
1000 Torr: 631C13TBEH
10 Torr: 631C11TBEH
10 Torr: 722B11TCE2FA
Main valve (VEC-SHA8-X0340)
Exhaust piping
Exhaust dilution line
Reactor tube press leak line
Back ground line
Jacket heater for exhaust pipe
Seal cap heater
Inlet flange heater
Reactor tube port heater
Safety:
Light curtain system
(2) OHT I/F Units
CIDRW Controller
(2) AMP Units
(2) CIDRW Headers
(2) Chemical filters
N2 Purge load lock system:
O2 Monitor / Detector
FOUP Opener: N2 Purge system
Loading area:
MFC
N2 Purge line
FOUP Opener: N2 Purge Line
Currently installed
2010 vintage.
KOKUSAI Quixace II ALD High-kは、高温・高分解能プロセス制御による薄膜の増殖に使用できる最先端のALD拡散炉です。高精度温度制御装置などのユーザーフレンドリーな機能と、高温ガスの効率的で信頼性の高い供給源、安定したワークチャックを組み合わせています。この炉のユニークな特徴は、優れた精度で大量のリアクタントを送達することを可能にする2段階のリアクタント送達システムです。Reactantデリバリーユニットは非常に構成可能で、さまざまな蒸着アプリケーションに適応できるため、非常に汎用性の高い機器となります。このマシンには、さらにその機能を強化し、ユーザーの要件を満たしていることを確認するためのアクセサリーの範囲が付属しています。これには、正確な温度制御のためのガスフロー・ツールと、より高い温度でのALDプロセスのカスタマイズとより大きな制御を可能にするプログラム可能なロジックコンピュータが含まれます。この炉には、圧力および温度監視、および過熱シャットオフなどの安全機能も備えています。Quixace II ALD High-k拡散炉は、一貫した正確な結果を提供することに重点を置いて、さまざまなプロセス条件下で確実に動作するように設計されています。このアセットは、HfO2、 ZrO2、 Al2O3などの高k誘電体材料を正確に堆積させるために特別に設計されています。さらに、KOKUSAI Quixace II ALD High-kは、デュアルステージリアクタント配送モデルにより、堆積膜の表面の不調を回避しながらALDプロセス全体を制御することができます。さらに、この装置の均一な熱分布は、反応時間を短縮し、確実な蒸着速度を保証します。最後に、システムには自動ハードウェア診断機能が搭載されており、ユーザーはプロセスパラメータに関する即時のフィードバックを提供し、プロセスの最適化と必要に応じて調整を行うことができます。Quixace II ALD High-kは、薄膜の成長のための多目的でユーザーフレンドリーで信頼性の高いプラットフォームを提供する高度な拡散炉です。2段リアクタント配送ユニット、ガスフローマシン、プログラマブルロジックコンピュータなど、さまざまな機能とアクセサリを備えています。これらはすべて、一貫した正確な結果を提供するのに役立ちます。この装置は、最高温度レベルで大規模なフラクショナル堆積プロセスを実行するために探している人にとって理想的な選択肢です。
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