中古 MRC / TEL / TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IV #9199385 を販売中

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ID: 9199385
ウェーハサイズ: 6"
Sputtering system, 6" Not included: Pumps SPUT Process chambers: SPUT1: Cathode: RM-12 Magnet pack type: RMX C/S Spacing: 2.0" Adapter type: Profiled Target material: TiW Shield material: Plasma spray (2) Pie pan shields Gas ring Reactive gas: No Regas injection: Rear Argon MFC size: 200 sccm Backplane type: MXB Quick cool type: Air DC Power supply: 10 kW Target change kit: No RF Bias network: No Fast regen cryo SPUT2: Cathode: RM-12 Magnet pack type: RMX C/S Spacing: 2.0" Adapter type: Profiled Target material: Ru Shield material: Plasma spray (2) Pie pan shields Gas ring Reactive gas: No Regas injection: Rear Argon MFC size: 200 sccm Backplane type: MXB Quick cool type: Air DC Power supply: 10 kW Target change kit: No RF Bias network: No Fast regen cryo SPUT3: Cathode: RM-12 Magnet pack type: SPA C/S Spacing: 2.5" Target material: Au or Au/5%Ni Shield material: SS (2) Pie pan shields: No Gas ring: No Reactive gas: Kr Regas injection: Rear Argon MFC Size: 200 sccm Backplane type: MXB HTB Quick cool type: Air DC Power supply: 10 kW Target change kit: No RF Bias network: No Fast regen cryo SPUT4: No Etch: Hard/Soft etch type: Soft etch ICP Adapter type: New style Quick change kit: No Shield material: SS (2) Pie pan shields SE Adapter shield: No Gas ring: No Reactive gas: No Regas injection: Door Backplane type: Round Quick cool type: Water Variable ICP network: No RF Bias network: Finger Fast regen cryo Bell jar cycle count Loadlock/Plenum: Loadlock atmosphere sensor: Old style Plenum gate valve: Vat L/L Cryo fast regen Plenum cryo fast regen RGA Type: No Index cycle counter: No Wafer handling: Wafer: Type: Si / SEMI Tab type: Clamp Clamp ring material: SS C/R Edge exclusion: 1.5mm Latch type: SS Bearing MFC Vendor: MKS Equipe/PRI Robot: CE Equipe/PRI Controller: 100 Series Index stepper cont. loc: Vacuum tank Index drive type: Solarus Aligner type: Equipe/PRI L/A Latches enabled SMIF Interface: No Laminar blower Facilities/Utilities: Pump: QDP80 AC Voltage: 208 V AC Frequency: 60 Hz PDU Set for 50 Hz: No 208 Buss bar in PDU GFI in PDU Cryo compressor type: 9600 Compressor power / Pump power from PDU Water lines Currently de-installed.
MRC/TEL/TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IVは、さまざまな半導体構造やデバイスを厳格な規格に加工するために設計されたスパッタ成膜装置です。MRC Eclipse Mark IVは、多軸モーションおよび成膜チャンバ技術の向上により、より高い製品品質と半導体製造のスループットを提供します。TEL Eclipse Mark IVは2種類のスパッタリング成膜を利用しています。1つ目は、スパッタエッチングに使用される直流スパッタリング(DCSP)です。DC電源を使用して、基板表面を爆撃するイオンを生成し、必要に応じて基板上の材料を取り外して堆積させます。この方法は、精密エッチングに特に役立ちます。2つ目は、スパッタ蒸着に使用されるハイレート・アンバランス・マグネトロンスパッタリング(HRuMS)です。この技術は、真空チャンバーで発生する高エネルギーのプラズマを利用して、基板上に材料をイオン化して堆積させます。電磁石であるマグネトロンは、従来のスパッタ蒸着技術よりも高い蒸着速度を達成するためにプラズマを形作り、集中させるために使用されます。Eclipse Mark IVには、高度なモーションテクノロジーも搭載されています。モーションの自動化により、基板や材料のチャンバーへの正確な配送が保証されます。また、基板の配置と取り付けにおいても、高い精度と再現性を確保します。さらに、このユニットはクローズドループ制御機を使用して蒸着チャンバの動きを正確に制御し、すべてのコンポーネントが正確な位置にスムーズかつ正確に移動することを保証します。TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IVは、20°-400°Cの温度範囲を可能にする、正確で柔軟な基板加熱ツールを提供します。アセットは最高の熱均一性を提供するように設計されており、ホットプレートとヒートシンクが装備されています。この加熱モデルは、加工する基板のサイズと形状の広い範囲を提供します。MRC/TEL/TOKYO ELECTRON Eclipse Mark IVは、最先端の真空制御技術を使用して、ジョブごとに一貫したクリーンな処理条件を維持します。装置は6 Torrの最高の部屋圧力と一貫した大気を提供するように設計されています。また、CryoDiodeコーティングを採用し、ユニット汚染を最小限に抑えています。このコーティングは、酸素モニターでその場で監視することもできます。さらに、効率的な基板加工のために、圧力バランスの自動基板シャワーが含まれています。MRC Eclipse Mark IV (MRC Eclipse Mark IV)は、半導体構造やデバイスを厳格な基準に基づいて製造するための高度な蒸着、運動、加熱、真空制御技術を提供します。従来の蒸着システムと比較して高い製品品質とスループットを提供し、半導体製造に最適です。
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