中古 VARIAN / VEECO GEN II #9190525 を販売中

Molecular Beam Epitaxy （MBE）は、信頼性の高い高品質の薄膜構造を作成するために使用される技術です。VARIAN/VEECO GEN II MBE装置は、マルチジャンクション太陽電池、量子カスケードレーザー、光電子およびマイクロエレクトロニクス用半導体部品などの化合物半導体デバイスおよび構造を製造するための最先端のツールです。このシステムは、真空チャンバーを使用して、ガス分子から基板を分離し、それらを結合させます。基板は、通常、石英または窒化アルミニウムから作られた「セル」と呼ばれる電子加熱抵抗体に配置されます。次に、原料は粒子ビーム源にロードされ、そこでそれらはその材料の融点以上の温度に特別に加熱されます。例えば、ガリウム源はアルミニウム源よりも高い温度を必要とします。VEECO GEN II MBEユニットは、粒子を正確に移動させるために、強力なクローズドループ型フォトミクロコントローラベースのビームスキャニングマシンを使用しています。このツールは、原料からの粒子ビームの量、強度、拡散を監視し、基板への均一な堆積を確保するためにビームスキャンパターンを正確に調整します。高精度のガス噴射ノズルを使用することにより、堆積プロセスがさらに強化され、アセットは重なり合うことなく、異なる材料の複数の層を堆積させることができます。VARIAN GEN II MBEモデルは、高度なプログラミングインターフェースを備えており、ユーザーは独自の蒸着プロセスを設計し、流量を調整し、機器を遠隔で制御することができます。さらに、10°C〜1000°Cの温度を高精度かつ安定して維持できる高度な温度制御ユニットを搭載し、薄膜特性を正確に制御し均一な構造を実現します。これにより、GEN II MBEマシンは、高度な薄膜構造の製造に最適なデバイスとなります。