中古 AIXTRON G3 #9202634 を販売中

AIXTRON G3は、最先端の分子ビームエピタキシー（MBE）原子炉です。AIXTRONによって建設されたこの原子炉は、一連のMBEシステムの最新の1つです。AIXTRON G 3リアクターは、III-V半導体を含む様々な結晶材料の高精度成長を促進するように設計されています。G3リアクターは、プロセスチャンバーとスロットルバルブの2つの主要なコンポーネントで構成されています。プロセスチャンバーはソース材料を収容し、分子ビームエピタキシーが行われる場所です。チャンバー内には、原料からの排出を制御する一連の内部バッフルと蒸発器があります。スロットルバルブは、プロセスチャンバーに供給されるガスの量を調節し、プロセスチャンバー内の圧力を調節する手段でもあります。G 3リアクターには、高精度の材料の成長に適したいくつかの高度な機能が装備されています。これらの機能には、エピタキシャルフィルムの品質を監視する高度なパーティクルカウントシステムと、温度と流量を正確に制御できる環境制御が含まれます。トランジスタジオメトリ設計により、製品汚染のリスクを最小限に抑えることができます。さらに、AIXTRON G3リアクターは、お客様のニーズに合わせてさまざまな方法でカスタマイズすることができます。これには、エンドポイント検出器の追加と、コンポーネントおよび安全機能の追加が含まれます。AIXTRON G 3リアクターは、シリコン、ヒ素ガリウム、窒化ガリウム、および様々なIII-V材料を含む幅広い基板上で高品質のサンプルを生産することができます。結論として、G3は多くの高度な機能を備えた最先端のMBE原子炉です。様々な基板で高精度な材料を生産するように設計されており、お客様のニーズに合わせてカスタマイズすることができます。これにより、最高品質の結晶材料を製造する際に理想的な選択肢となります。