中古 RIBER EVA 32 #9197264 を販売中

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製造業者
RIBER
モデル
EVA 32
ID: 9197264
ウェーハサイズ: 2"
MBE System, 2" Group IV MBE Grow germanium and silicon Semiconductor thin films (SiGe) B & Sb as P- & n- type dopant RHEED System with power supply and control​ Residual gas analyzer & control (RGA / Mass spectrometer)​ ​XYZ Precision sample stage / Manipulator​ Sentinel flux motoring system with power supply and control​​ Load-lock chamber (2) 40 CC E-guns (Ge & Si) (3) Effusion cells with controls Sb Boric acid Ge Residual gas analyzer (Quadruple mass spec) RHEED Electronics control Manipulator wafers, 2" Load lock chamber Ion pump plus cryopump.
RIBER EVA 32は、III-V、 II-VI、酸化物などの高品質の無機材料のエピタキシャル成長に使用される高度な分子ビームエピタキシー(MBE)システムです。材料の成長構造を原子や表面制御することができます。EVA 32には、さまざまなヘテロ構造およびナノ構造のエピタキシャル成長に最大限の自由度を提供するように設計された、複数の独立した最先端のチャンバーが装備されています。このシステムは、複数の超高真空モジュールの配列であり、それぞれに高精度、低温抵抗ヒーターが装備されています。個々のモジュールには、メインソースチャンバー、2つの噴出セル、2つの超紫色光源、および独立した温度コントローラが含まれます。これらの各モジュールでは、ナノ構造の正確な成長を可能にするために、異なる成長パラメータを制御することができます。主要な源の部屋は成長の表面および源の材料を含んでいる第一次部屋です。基板ホルダーは、ソースチャンバーに熱的に結合され、高精度、低温抵抗ヒーターによって加熱されます。主要な源の部屋は温度、圧力、構成、成長率、等のようなさまざまな変数を測定するためにセンサーが装備されています。2つの噴出セルは主要な源の部屋に取付けられ、材料の蒸発のために使用されます。細胞は成長表面に垂直に配置され、表面全体を覆うことができます。MBE増殖の場合、エフュージョン細胞にはエピタキシー過程の材料として使用される材料が含まれています。2つの超紫色の光源は、成長面に垂直で、調整可能な傾斜角度で、メインソースチャンバーに取り付けられています。これらの光源は、成長条件を操作するためにエネルギー強度の広い範囲を提供することができます。温度コントローラは、基板の成長温度を調節するために使用され、主要なソースチャンバー内の材料が使用されます。これらのコントローラは、300〜800°Cの温度で設定可能な電気抵抗ヒーターです。ヒーターは、正確な温度制御を実現し、望ましい成長条件を提供するために微調整されています。RIBER EVA 32は、高度に制御されたヘテロ構造とナノ構造の製造を行うことができる専用のMBEシステムです。その多くのモジュールとパラメータの正確な制御は、高品質の材料の生産に究極の柔軟性を提供します。
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