中古 RIBER 49 #9193092 を販売中

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製造業者
RIBER
モデル
49
ID: 9193092
ウェーハサイズ: 10"
ヴィンテージ: 2001
MBE System, 10" (10) Ports Recovery module: Hg Temperature range: 0-700°C No cracker Main chamber: (2) CT-10 Cryopumps With LN2 baffles Large ion pump Wafer manipulator RHEED: Gun Screen Transfer / Loadlocks: Transfer chamber with outgas stage (2) Loadlocks with cryopumps Sources: (3) Installed (2) Additional (CdTe, Te, In, and Hg) 2001 vintage.
MBE (Molecular beam epitaxy)は、材料の精密な層で薄膜を作成するために使用される真空蒸着プロセスの一種です。RIBER 49は、オプトエレクトロニクス部品に使用される半導体元素、合金、およびガリウムヒ素、リン酸インジウム、窒化ガリウムなどの化合物を堆積するために使用されるMBE装置です。49は、2つの電子ビーム蒸発器と3つの異なる噴出セル用のコンセントを収容するクローズドキャビティ源を使用しています。この2つの電子ビーム源は、高蒸気圧で金属などを堆積させるために使用され、3つの放出セルのそれぞれが個々の成分の堆積に使用されます。このシステムには、イオン源、水晶結晶厚モニター、サンプル加熱ステージ、残りのガスモニターも含まれています。さらに、RIBER 49は分光計に接続して、堆積している材料の組成を決定することもできます。49は、材料を基板表面に向けるために磁気支援ビームユニットを使用しています。磁石はビームの広がりを減らすのに使用されてユーザーが沈殿させたフィルムの構成そして厚さを制御することを可能にします。材料を加熱して蒸発させ、基板を加熱して堆積膜の欠陥を減らします。基板に材料を堆積させると、層の厚さは水晶厚モニターによって制御されます。この装置は、水晶を用いてビームの下の基板の振動を監視し、基板に堆積する材料の量を調節します。基板はサンプル加熱段を使用して操作することもできます。これにより、基板をチャンバー内で再度傾けたり、移動したり、傾けたりすることができます。材料が適切に堆積されたら、残留ガスモニターを使用して、堆積チャンバー内の異物からの汚染のレベルを確認することができます。これにより、目的の層だけが堆積され、最終製品から欠陥が除去されることが保証されます。RIBER 49は、主に半導体部品や精密な層を持つ光電子デバイスの製造に使用される高度で精密なMBEマシンです。金属および非金属材料を容易に沈殿させるのに使用することができ材料の構成および層の厚さを定量化する機能はそれに良質の光電子部品を作り出すための理想的な選択をします。
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